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英诺赛科盘中涨超5% 氮化镓器件渗透率逐年提升

英诺赛科盘中涨超5% 氮化镓器件渗透率逐年提升:涨3.86%,现报56.55港元,成交离线缓存投屏电视版额1.75亿港元。 华创证券发

图表:英诺赛科盘中涨超5% 氮化镓器件渗透率逐年提升的核心数据分布

英诺赛科(02577)盘中涨超5%,截至发稿,股价上涨3.86%,现报56.55港元,成交额1.75亿港元。 华创证券发布研报称,20离线缓存投屏电视版25年,人工智能算力需求爆发、新能源汽车加速渗透以及人形机器人产业处于爆发前期,凭借高频、高功率密度、低导通电阻、高转换效率等材料性能优势,氮化镓器件在功率半导体市场的渗透率逐年提升。25年,英诺赛科凭借在氮化镓领域的积累,将其应用边界从消费电子拓展至AI 数据中心、新能源汽车和机器人关节驱动三大核心领域,顺利完成从概念到量产的商业化进程。 华创证券续指,25年英诺赛科实现AI及数据中心领域GaN芯片销售收入0.63亿元(YoY+50.2%),预期随着高压直流架构的落地上量,将迎来AI-GaN大规模应用新纪元。 美银证券表示,英诺赛科管理层在2025财年业绩后的分析师简报会上表示,随着氮化镓(GaN)在各终端市场的渗透率上升,2026年下游需求强劲。管理层预计2026财年总收入将达20亿至25亿元人民币,按年增长65%至106%,毛利率有望进一步提升至15%以上。责任编辑:卢昱君

综上所述,在2026-05-20 11:26:27的发展中起到了关键作用。

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