华泰证券：关注光模块上游核心材料发展机遇

炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！华泰睿思 核心观点 随着近年800G、1.6T光模块需求量的快速提升，以及未来3.2T时代的渐行渐近，我们看好光模块上游核心材料的发展机遇，本篇报告中我们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中InP衬底作为光芯片上游核心原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势，未来有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。 AI算力带动光模块需求高增长，光芯片需求快速释放 随着全球科技巨头继续加码AI算力投资，光模块产业链有望延续高景气度。根据LightCounting于2026年1月发布的预测，全球高速率（100G及以上）数通光模块市场规模有望由2025年的164亿美金扩张至2031年的521亿美金。光芯片作为光模块上游核心原材料真精华布衣正版123456之一，需求侧亦呈现高增趋势，根据源杰科技港股招股书中的数据，预计全球光芯片市场规模有望由2024年的26亿美金增长至2030年的229亿美金，对应期间CAGR达44%。 InP衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒 InP衬底是光芯片生产的核心原材料之一。随着2026~2027年800G、1.6T光模块拉动光芯片需求快速释放，Lumentum、Coherent、源杰等国内外光芯片头部厂商均在积极扩充产能，InP衬底有望迎高速发展期，Yole预测，全球InP衬底销量（折合为2英寸）有望从2019年的50万片增加至2026年的128万片。全球InP衬底市场高度集中，日本住友、北京通美及日本JX占据超90%份额，我们认为需求高增长背景下，新晋厂商有望获得导入机遇。InP衬底的产业链可划分为高纯原材料（红磷、金属铟等）→多晶合成→单晶生长、衬底制备→外延片/光芯片。 薄膜铌酸锂：3.2T渐行渐近，产业迎广阔发展机遇 随着3.2T光模块的渐行渐近，单通道调制速率需达到400G，我们判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制器具备超高带宽、低功耗、低损耗等方面优势，有望迎来导入机遇。根据我们的测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间有望近30亿元，对应2029~2031年CAGR达271%。薄膜铌酸锂的产业链可划分为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），各环节均具备较高技术壁垒，我国厂商在以上各领域均已取得积极进展，我们看好相关厂商在3.2T时代有望迎接广阔发展机遇。 产业链核心环节厂商梳理 InP衬底：【高纯铟】、【多晶合成】、【InP衬底】相关公司。薄膜铌酸锂：【铌酸锂晶体材料】、【薄膜铌酸锂晶圆】、【薄膜铌酸锂调制器（芯片）】相关公司。具体公司梳理，请见研报原文。 风险提示：云厂商资本开支投入不及预期；行业竞争加剧；本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对公开信息的整理，并不代表团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。 正文 关注光模块上游核心材料发展机遇：InP、薄膜铌酸锂 大集群建设驱动AI算力产业链景气度持续提升。随着全球科技大厂继续加码对AI算力的投入，大规模GPU集群作为本轮生成式AI算力基建的核心形态，其建设步伐仍在快速推进。例如博通在2025年6月业绩会中重申，预计至少三家客户将在2027年部署百万卡集群；Marvell在2025年6月的投资者日中亦强调，客户的百万卡集群正在加速建设；Meta在2025年10月OCP的演讲中提到，正在规划未来数个GW级别的超大集群。我们判断大集群的建设将持续驱动GPU、光模块、交换机等算力硬件需求的快速释放。 光互联：大集群核心拼图，长期成长空间广阔。目前光互联基于长距离传输等优势，已广泛应用于大集群的Scale out网络，即跨机柜、大规模互联场景；长期来看，我们认为光通信有望向Scale up网络渗透，即机柜内部的互联场景。当前Scale up网络由于互联距离较短、互联规模有限，仍可继续使用铜连接技术；而未来随着信号传输速率的进一步提升、Scale up域的进一步扩展至多机柜，光互联优势有望逐步显现，从而获得渗透率提升机遇。我们认为长期来看，随着光互联向Scale up的渗透，光通信在AI基础设施投资中的价值量占比有望进一步提升。 全球光模块市场模块有望快速扩张。在AI算力需求快速提升的带动下，全球高速数通光模块市场规模有望快速扩张。根据LightCounting于2026年1月发布的报告《Optics for AI Clusters》，全球高速率（100G及以上）以太网光模块市场规模有望由2025年的164亿美金扩张至2031年的521亿美金。 看好光模块上游核心材料发展机遇——InP、薄膜铌酸锂。随着近年800G、1.6T光模块需求量的快速提升，以及未来3.2T时代的渐行渐近，我们看好光模块上游核心材料的发展机遇，本篇报告中我们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中InP衬底受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂基于低功耗、高带宽等优势，有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。 InP衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒 光芯片核心上游原材料，衬底行业迎广阔发展机遇 光芯片：需求端快速释放。随着800G、1.6T等高速光模块需求有望继续快速提升，光芯片（如100G/200G EML、70 mW /100mW CW光源等）作为光模块上游核心物料，需求侧亦有望快速释放。根据源杰科技港股招股书中的数据，全球光芯片市场规模有望由2024年的26亿美金增长至2030年的229亿美金，对应期间CAGR为44%。按下游市场拆分，数据中心占据主导地位；按照光芯片技术路线拆分，EML

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